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Définition: DIODE SIL CARB 1,2 KV 10A à 220 F

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Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples	statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	100 μA @ 1200 V	Type de montage:	À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1,7 V @ 10 A	Le paquet:	Tuyaux
Série:	-	Capacité @ Vr, F:	780pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	TO-220F	Temps de récupération inverse (trr):	0 ans
Mfr:	Technologie des puces	Technologie:	Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 175°C	Emballage / boîtier:	Plein paquet TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour les appareils électroniques	Courant - Moyenne rectifiée (Io):	10A
Vitesse:	Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)	Numéro du produit de base:	Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes:

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	100 μA @ 1200 V
Type de montage:	À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1,7 V @ 10 A
Le paquet:	Tuyaux
Série:	-
Capacité @ Vr, F:	780pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	TO-220F
Temps de récupération inverse (trr):	0 ans
Mfr:	Technologie des puces
Technologie:	Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:	Plein paquet TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):	10A
Vitesse:	Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:	Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes: