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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la zone.

Détails de produit

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Définition: DIPK de diode carbure de silicium 1,2 KV 18A

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.7 V @ 5 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
475pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
DPAK
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
18A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Le nombre d'heures de travail
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.7 V @ 5 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
475pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
DPAK
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
18A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Le nombre d'heures de travail
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la zone.
Diode 1200 V 18A montée à la surface DPAK