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Définition: DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE

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Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
1 mA @ 8000 V
Type de montage:
Montage du châssis
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
6.25 V @ 7 A
Le paquet:
boîte
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
UGE
Mfr:
IXYS
Technologie:
La norme
Emballage / boîtier:
UGE
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
8 000 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
4.2a
Vitesse:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
UGE1112
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
1 mA @ 8000 V
Type de montage:
Montage du châssis
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
6.25 V @ 7 A
Le paquet:
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Série:
-
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Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
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Mfr:
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Technologie:
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Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
8 000 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
4.2a
Vitesse:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
UGE1112
Le nombre total de personnes concernées par l'application de la présente directive
Le diode 8000 V 4.2A monté sur le châssis UGE

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

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