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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

R4000F

Détails de produit

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Définition: DIODE GEN PURP 4KV 200MA DO15

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 4000 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
6.5 V @ 200 mA
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
30pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
DO-15
Temps de récupération inverse (trr):
500 ns
Mfr:
Rectron États-Unis
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 150°C
Emballage / boîtier:
DO-204AC, DO-15, axial
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
4000 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
200 mA
Vitesse:
Signal faible = < 200 mA (Io), à n'importe quelle vitesse
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 4000 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
6.5 V @ 200 mA
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
30pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
DO-15
Temps de récupération inverse (trr):
500 ns
Mfr:
Rectron États-Unis
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 150°C
Emballage / boîtier:
DO-204AC, DO-15, axial
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
4000 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
200 mA
Vitesse:
Signal faible = < 200 mA (Io), à n'importe quelle vitesse
R4000F
Diode 4000 V 200 mA à travers le trou DO-15