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Conditions de paiement et d'expédition

Définition: DIODE SIL CARB 1,2 KV 25A TO220-2

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Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 1200 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.8 V @ 10 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques
Capacité @ Vr, F:
367 pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220-2
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
25A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 1200 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.8 V @ 10 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques
Capacité @ Vr, F:
367 pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
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Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
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Température de fonctionnement - jonction:
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Emballage / boîtier:
TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
25A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Les résultats de l'analyse sont publiés dans le rapport annuel annuel.
Diode 1200 V 25A à travers le trou TO-220-2

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

32 composants électroniques mordus d'OEM de microcontrôleur,

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