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Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'exposition.

Détails de produit

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Définition: DIODE SIL CARB 1.7KV 122A à 247

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
40 μA @ 1700 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.8 V @ 60 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques
Capacité @ Vr, F:
4577pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247-2
Mfr:
Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-247-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Ventilateur
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
122a
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
GD60
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
40 μA @ 1700 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.8 V @ 60 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques
Capacité @ Vr, F:
4577pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247-2
Mfr:
Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-247-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Ventilateur
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
122a
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
GD60
Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'exposition.
Diode 1700 V 122A à travers le trou TO-247-2