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Définition: DIODE SIL CARB 650V 12A à 220-2

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Description de produit

Mettre en évidence:

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples	statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	80 μA @ 650 V	Type de montage:	À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.7 V @ 12 A	Le paquet:	Tuyaux
Série:	-	Capacité @ Vr, F:	392 pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	TO-220-2	Temps de récupération inverse (trr):	0 ans
Mfr:	Qorvo	Technologie:	Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 175°C	Emballage / boîtier:	TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	650 V	Courant - Moyenne rectifiée (Io):	12A
Vitesse:	Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)	Numéro du produit de base:	Le numéro d'immatriculation est:

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	80 μA @ 650 V
Type de montage:	À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.7 V @ 12 A
Le paquet:	Tuyaux
Série:	-
Capacité @ Vr, F:	392 pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	TO-220-2
Temps de récupération inverse (trr):	0 ans
Mfr:	Qorvo
Technologie:	Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:	TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):	12A
Vitesse:	Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:	Le numéro d'immatriculation est:

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Diode 650 V 12A à travers le trou TO-220-2

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

32 composants électroniques mordus d'OEM de microcontrôleur,

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