Détails de produit
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Définition: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7 Pour les appareils électroniques
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Diodes
Les produits de rectification
Diodes simples |
statut du produit: |
Actif |
Température de fonctionnement - jonction: |
-55°C à 175°C |
Type de montage: |
Monture de surface |
Le paquet: |
Tuyaux |
Série: |
SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques |
Capacité @ Vr, F: |
735 pF @ 1V, 1MHz |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
TO-263-7 |
Mfr: |
Semi-conducteur GeneSiC |
Technologie: |
Sic (carbure de silicium) Schottky |
Emballage / boîtier: |
TO-263-8, ² PAK (7 avances + étiquettes) de D, TO-263CA |
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.: |
650 V |
Courant - Moyenne rectifiée (Io): |
Le numéro 51A |
Vitesse: |
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io) |
Numéro du produit de base: |
Le nombre d'émissions de CO2 |
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Diodes
Les produits de rectification
Diodes simples |
statut du produit: |
Actif |
Température de fonctionnement - jonction: |
-55°C à 175°C |
Type de montage: |
Monture de surface |
Le paquet: |
Tuyaux |
Série: |
SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques |
Capacité @ Vr, F: |
735 pF @ 1V, 1MHz |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
TO-263-7 |
Mfr: |
Semi-conducteur GeneSiC |
Technologie: |
Sic (carbure de silicium) Schottky |
Emballage / boîtier: |
TO-263-8, ² PAK (7 avances + étiquettes) de D, TO-263CA |
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.: |
650 V |
Courant - Moyenne rectifiée (Io): |
Le numéro 51A |
Vitesse: |
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io) |
Numéro du produit de base: |
Le nombre d'émissions de CO2 |