Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples	statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	10 μA @ 1200 V	Type de montage:	À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.8 V @ 20 A	Le paquet:	Tuyaux
Série:	SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques	Capacité @ Vr, F:	737pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	TO-247-2	Temps de récupération inverse (trr):	0 ans
Mfr:	Semi-conducteur GeneSiC	Technologie:	Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 175°C	Emballage / boîtier:	TO-247-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour les appareils électroniques	Courant - Moyenne rectifiée (Io):	39A
Vitesse:	Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)	Numéro du produit de base:	GD20

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	10 μA @ 1200 V
Type de montage:	À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.8 V @ 20 A
Le paquet:	Tuyaux
Série:	SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques
Capacité @ Vr, F:	737pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	TO-247-2
Temps de récupération inverse (trr):	0 ans
Mfr:	Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:	Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:	TO-247-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):	39A
Vitesse:	Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:	GD20