Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples	statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	10 µA @ 3000 V	Type de montage:	Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	3 V @ 5 A	Le paquet:	Tuyaux
Série:	SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques	Capacité @ Vr, F:	288pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	TO-263-7	Temps de récupération inverse (trr):	0 ans
Mfr:	Semi-conducteur GeneSiC	Technologie:	Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 175°C	Emballage / boîtier:	TO-263-8, ² PAK (7 avances + étiquettes) de D, TO-263CA
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	3300 V	Courant - Moyenne rectifiée (Io):	14A
Vitesse:	Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)	Numéro du produit de base:	Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	10 µA @ 3000 V
Type de montage:	Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	3 V @ 5 A
Le paquet:	Tuyaux
Série:	SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques
Capacité @ Vr, F:	288pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	TO-263-7
Temps de récupération inverse (trr):	0 ans
Mfr:	Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:	Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:	TO-263-8, ² PAK (7 avances + étiquettes) de D, TO-263CA
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	3300 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):	14A
Vitesse:	Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:	Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: