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Définition: DIODE SIL CARB 1,2 KV 50A TO247-2 Pour les appareils électroniques

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Mettre en évidence:

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples	statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	100 μA @ 1200 V	Type de montage:	À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.7 V @ 50 A	Le paquet:	Tuyaux
Série:	Amp+TM	Capacité @ Vr, F:	3040pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	TO-247-2	Temps de récupération inverse (trr):	0 ans
Mfr:	SemiQ	Technologie:	Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 175°C	Emballage / boîtier:	TO-247-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour les appareils électroniques	Courant - Moyenne rectifiée (Io):	50A
Vitesse:	Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)	Numéro du produit de base:	Le nombre d'étoiles est le suivant:

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	100 μA @ 1200 V
Type de montage:	À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.7 V @ 50 A
Le paquet:	Tuyaux
Série:	Amp+TM
Capacité @ Vr, F:	3040pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	TO-247-2
Temps de récupération inverse (trr):	0 ans
Mfr:	SemiQ
Technologie:	Sic (carbure de silicium) Schottky
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Emballage / boîtier:	TO-247-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):	50A
Vitesse:	Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:	Le nombre d'étoiles est le suivant:

Le nombre d'étoiles est le plus élevé possible.

Diode 1200 V 50A à travers le trou TO-247-2

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

32 composants électroniques mordus d'OEM de microcontrôleur,

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