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Le nombre d'unités de production est déterminé par la méthode suivante:

Détails de produit

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Définition: DIODE SIL CARBURE DE SILICIUM 300V 4A TO46

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 300 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.6 V @ 1 A
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
76 pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-46
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 225°C
Emballage / boîtier:
TO-206AB, TO-46-3 Boîte métallique
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
4a
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Le nombre d'unités de traitement est le suivant:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 300 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.6 V @ 1 A
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
76 pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-46
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 225°C
Emballage / boîtier:
TO-206AB, TO-46-3 Boîte métallique
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
4a
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Le nombre d'unités de traitement est le suivant:
Le nombre d'unités de production est déterminé par la méthode suivante:
Diode 300 V 4A à travers le trou TO-46