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Définition: DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247-2

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Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
20 μA @ 1200 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.8 V @ 30 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques
Capacité @ Vr, F:
1101pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247-2
Mfr:
Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-247-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
55A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
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Courant - Fuite inverse @ Vr:
20 μA @ 1200 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
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Le paquet:
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Série:
SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques
Capacité @ Vr, F:
1101pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
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Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-247-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
55A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Le nombre d'heures de travail
Diode 1200 V 55A à travers le trou TO-247-2

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

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