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Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'émission.

Détails de produit

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Définition: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tuyaux
Série:
SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques
Capacité @ Vr, F:
735 pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247-2
Mfr:
Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Emballage / boîtier:
TO-247-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
49A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Le nombre d'émissions de CO2
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tuyaux
Série:
SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques
Capacité @ Vr, F:
735 pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247-2
Mfr:
Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Emballage / boîtier:
TO-247-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
49A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Le nombre d'émissions de CO2
Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'émission.
Diode 650 V 49A à travers le trou TO-247-2