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Le système de détection des émissions

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Définition: Le diode SIL CARB 650V 11A TO252-2 peut être utilisé pour la commande d'un appareil électrique.

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Arrêté par Digi-Key
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 650 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.35 V @ 4 A
Le paquet:
Coupez la bande (les CT) Digi-Reel®
Série:
SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques
Capacité @ Vr, F:
186pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-252-2
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
11A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Arrêté par Digi-Key
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 650 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.35 V @ 4 A
Le paquet:
Coupez la bande (les CT) Digi-Reel®
Série:
SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques
Capacité @ Vr, F:
186pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-252-2
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
11A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Le système de détection des émissions
Diode 650 V 11A Monture de surface TO-252-2