Détails de produit
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Définition: DIODE SIC 3.3KV 300MA à 220FP
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Diodes
Les produits de rectification
Diodes simples |
statut du produit: |
Pas pour les nouveaux modèles |
Courant - Fuite inverse @ Vr: |
5 μA @ 3300 V |
Type de montage: |
À travers le trou |
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: |
1.7 V @ 300 mA |
Le paquet: |
Tuyaux |
Série: |
SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques |
Capacité @ Vr, F: |
42pF @ 1V, 1MHz |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
TO-220FP |
Temps de récupération inverse (trr): |
0 ans |
Mfr: |
Semi-conducteur GeneSiC |
Technologie: |
Sic (carbure de silicium) Schottky |
Température de fonctionnement - jonction: |
-55°C à 175°C |
Emballage / boîtier: |
Plein paquet TO-220-2 |
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.: |
3300 V |
Courant - Moyenne rectifiée (Io): |
300 mA |
Vitesse: |
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io) |
Numéro du produit de base: |
GAP3SLT33 |
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Diodes
Les produits de rectification
Diodes simples |
statut du produit: |
Pas pour les nouveaux modèles |
Courant - Fuite inverse @ Vr: |
5 μA @ 3300 V |
Type de montage: |
À travers le trou |
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: |
1.7 V @ 300 mA |
Le paquet: |
Tuyaux |
Série: |
SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques |
Capacité @ Vr, F: |
42pF @ 1V, 1MHz |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
TO-220FP |
Temps de récupération inverse (trr): |
0 ans |
Mfr: |
Semi-conducteur GeneSiC |
Technologie: |
Sic (carbure de silicium) Schottky |
Température de fonctionnement - jonction: |
-55°C à 175°C |
Emballage / boîtier: |
Plein paquet TO-220-2 |
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.: |
3300 V |
Courant - Moyenne rectifiée (Io): |
300 mA |
Vitesse: |
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io) |
Numéro du produit de base: |
GAP3SLT33 |