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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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PAR EXEMPLE 1AV1

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Définition: DIODE GEN PURP 600V 600MA axiale

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
100 μA @ 600 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
2 V @ 600 mA
Le paquet:
Coupez la bande (les CT) Bande et boîte (TB)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
-
Temps de récupération inverse (trr):
100 ns
Mfr:
Sanken Electric États-Unis Inc.
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-40°C à 150°C
Emballage / boîtier:
axiale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
600 V ou plus
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
600 mA
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
EG 1
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
100 μA @ 600 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
2 V @ 600 mA
Le paquet:
Coupez la bande (les CT) Bande et boîte (TB)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
-
Temps de récupération inverse (trr):
100 ns
Mfr:
Sanken Electric États-Unis Inc.
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-40°C à 150°C
Emballage / boîtier:
axiale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
600 V ou plus
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
600 mA
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
EG 1
PAR EXEMPLE 1AV1
Diode 600 V 600 mA à travers le trou