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Pour les appareils de type VHS, le nombre de pièces de rechange doit être déterminé en tenant compte de l'état des pièces.

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Définition: DIODE GEN PURP 1KV 10A à 263AB

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Description de produit

Mettre en évidence:

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples	statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	100 μA @ 1000 V	Type de montage:	Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.33 V @ 10 A	Le paquet:	Tape et bobine (TR)
Série:	-	Capacité @ Vr, F:	-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Pour les appareils électroniques, le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation.	Temps de récupération inverse (trr):	310 ns
Mfr:	Vishay General Semiconductor - Division des diodes	Technologie:	La norme
Température de fonctionnement - jonction:	-40°C à 150°C	Emballage / boîtier:	TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour l'électricité	Courant - Moyenne rectifiée (Io):	10A
Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)	Numéro du produit de base:	10ETF10

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	100 μA @ 1000 V
Type de montage:	Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.33 V @ 10 A
Le paquet:	Tape et bobine (TR)
Série:	-
Capacité @ Vr, F:	-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Pour les appareils électroniques, le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation.
Temps de récupération inverse (trr):	310 ns
Mfr:	Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:	La norme
Température de fonctionnement - jonction:	-40°C à 150°C
Emballage / boîtier:	TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):	10A
Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:	10ETF10