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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N4447/TR

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Définition: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
25 nA @ 20 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1 V @ 20 mA
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le DO-35
Temps de récupération inverse (trr):
4 ans
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 150°C
Emballage / boîtier:
Pour les appareils de traitement des eaux usées, la valeur maximale de l'échantillon doit être égale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
200 mA
Vitesse:
Signal faible = < 200 mA (Io), à n'importe quelle vitesse
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
25 nA @ 20 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1 V @ 20 mA
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le DO-35
Temps de récupération inverse (trr):
4 ans
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 150°C
Emballage / boîtier:
Pour les appareils de traitement des eaux usées, la valeur maximale de l'échantillon doit être égale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
200 mA
Vitesse:
Signal faible = < 200 mA (Io), à n'importe quelle vitesse
1N4447/TR
Diode 75 V 200 mA Traversant DO-35