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Définition: DIODE GEN PURP 200V 20A à 247AD

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Description de produit

Mettre en évidence:

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples	statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	10 μA @ 200 V	Type de montage:	Trou traversant
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.1 V @ 20 A	Le paquet:	Tuyaux
Série:	-	Capacité @ Vr, F:	175 pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Pour les appareils de type "A"	Temps de récupération inverse (trr):	35 ns
Mfr:	Taïwan Semiconductor Corporation	Technologie:	La norme
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 150°C	Emballage / boîtier:	TO-247-3
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour l'électricité	Courant - Moyenne rectifiée (Io):	20A
Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)	Numéro du produit de base:	SF2004

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	10 μA @ 200 V
Type de montage:	Trou traversant
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.1 V @ 20 A
Le paquet:	Tuyaux
Série:	-
Capacité @ Vr, F:	175 pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Pour les appareils de type "A"
Temps de récupération inverse (trr):	35 ns
Mfr:	Taïwan Semiconductor Corporation
Technologie:	La norme
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 150°C
Emballage / boîtier:	TO-247-3
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):	20A
Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:	SF2004

SF2004PT

Diode 200 V 20A à travers le trou TO-247AD (TO-3P)

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

32 composants électroniques mordus d'OEM de microcontrôleur,

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