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Conditions de paiement et d'expédition

Définition: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3 Pour les appareils électroniques

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Détails de produit

Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Dépassé
Courant - Fuite inverse @ Vr:
60 μA @ 650 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1,7 V @ 10 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
Pour l'automobile, AEC-Q100/101, CoolSiCTM
Capacité @ Vr, F:
303pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PG-TO247-3-41
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-40°C ~ 175°C
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
10A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
AIDW10
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Dépassé
Courant - Fuite inverse @ Vr:
60 μA @ 650 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1,7 V @ 10 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
Pour l'automobile, AEC-Q100/101, CoolSiCTM
Capacité @ Vr, F:
303pF @ 1V, 1MHz
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Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
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Emballage / boîtier:
TO-247-3
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
10A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
AIDW10
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Diode 650 V 10A à travers le trou PG-TO247-3-41

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

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