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1N5619E3

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Définition: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Il est nécessaire de fournir des informations détaillées sur le type de

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
500 μA @ 400 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.6 V @ 3 A
Le paquet:
Le volume
Série:
Military, MIL-PRF-19500/429 Les produits de base sont les suivants:
Capacité @ Vr, F:
25pF @ 12V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
A, axiale
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 200°C
Emballage / boîtier:
A, axiale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
600 V ou plus
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
500 μA @ 400 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.6 V @ 3 A
Le paquet:
Le volume
Série:
Military, MIL-PRF-19500/429 Les produits de base sont les suivants:
Capacité @ Vr, F:
25pF @ 12V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
A, axiale
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 200°C
Emballage / boîtier:
A, axiale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
600 V ou plus
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
1N5619E3
Diode 600 V 1A à travers le trou A, axiale