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Détails de produit

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Définition: DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5B

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
Pour les appareils à commande numérique
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.2 V @ 100 mA
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Military, MIL-PRF-19500/578 Il s'agit d'un groupe de personnes qui travaillent dans le secteur milit
Capacité @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
D-5B
Temps de récupération inverse (trr):
20 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
Le nombre de personnes concernées par l'exemption est déterminé en fonction de la catégorie de perso
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
300 mA
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
Pour les appareils à commande numérique
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.2 V @ 100 mA
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Military, MIL-PRF-19500/578 Il s'agit d'un groupe de personnes qui travaillent dans le secteur milit
Capacité @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
D-5B
Temps de récupération inverse (trr):
20 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
Le nombre de personnes concernées par l'exemption est déterminé en fonction de la catégorie de perso
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
300 mA
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Les données sont fournies à l'aide de la méthode suivante:
Diode 75 V 300 mA Monture de surface D-5B