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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1N6622U

Détails de produit

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Définition: DIODE GP 660V 1.2A A SQ-MELF qui est utilisé pour la fabrication de l'électronique

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
Pour les appareils à commande numérique
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.4 V @ 1,2 A
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
A, SQ-MELF
Temps de récupération inverse (trr):
45 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 150°C
Emballage / boîtier:
SQ-MELF, une
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
660 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1.2A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
Pour les appareils à commande numérique
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.4 V @ 1,2 A
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
A, SQ-MELF
Temps de récupération inverse (trr):
45 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 150°C
Emballage / boîtier:
SQ-MELF, une
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
660 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1.2A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
1N6622U
Le diode 660 V 1.2A est monté en surface A, SQ-MELF.