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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N5807US/TR

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Définition: UFR, FRR

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 50 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
875 mV @ 4 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Le produit doit être présenté à l'essai.
Capacité @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
B, SQ-MELF
Temps de récupération inverse (trr):
30 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
50 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
3A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 50 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
875 mV @ 4 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Le produit doit être présenté à l'essai.
Capacité @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
B, SQ-MELF
Temps de récupération inverse (trr):
30 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
50 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
3A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JAN1N5807US/TR
Le diode 50 V 3A est monté sur la surface B, SQ-MELF