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Définition: DIODE GEN PURP 600V 1A Pour les appareils électroniques

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Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples	statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	1 μA @ 600 V	Type de montage:	Trou traversant
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.3 V @ 3 A	Le paquet:	Tape et bobine (TR)
Série:	Military, MIL-PRF-19500/286 (en anglais seulement)	Capacité @ Vr, F:	-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	A, axiale	Temps de récupération inverse (trr):	5 μs
Mfr:	Technologie des puces	Technologie:	La norme
Température de fonctionnement - jonction:	-65°C à 175°C	Emballage / boîtier:	A, axiale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	600 V ou plus	Courant - Moyenne rectifiée (Io):	1A
Vitesse:	Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	1 μA @ 600 V
Type de montage:	Trou traversant
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.3 V @ 3 A
Le paquet:	Tape et bobine (TR)
Série:	Military, MIL-PRF-19500/286 (en anglais seulement)
Capacité @ Vr, F:	-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	A, axiale
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Diode 600 V 1A à travers le trou A, axiale

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

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