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Définition: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A

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Mettre en évidence:

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples	statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	4 μA @ 1100 V	Type de montage:	Trou traversant
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.4 V @ 1.4 A	Le paquet:	Tape et bobine (TR)
Série:	-	Capacité @ Vr, F:	40pF @ 10V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	A, axiale	Temps de récupération inverse (trr):	60 ns
Mfr:	Technologie des puces	Technologie:	La norme
Température de fonctionnement - jonction:	-65°C à 150°C	Emballage / boîtier:	A, axiale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Équipement de traitement des gaz	Courant - Moyenne rectifiée (Io):	1.4A
Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	4 μA @ 1100 V
Type de montage:	Trou traversant
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.4 V @ 1.4 A
Le paquet:	Tape et bobine (TR)
Série:	-
Capacité @ Vr, F:	40pF @ 10V, 1MHz
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Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)

1N6631/TR

Diode 1100 V 1.4A à travers le trou A, axiale

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

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