Détails de produit
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Définition: DIODE GEN PURP 660V 1,75A Pour les appareils électroniques
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Diodes
Les produits de rectification
Diodes simples |
statut du produit: |
Actif |
Courant - Fuite inverse @ Vr: |
2 μA @ 600 V |
Type de montage: |
À travers le trou |
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: |
1.35 V @ 1,2 A |
Le paquet: |
Tape et bobine (TR) |
Série: |
Military, MIL-PRF-19500/590: Les armes à feu sont utilisées dans les forces armées. |
Capacité @ Vr, F: |
- |
Temps de récupération inverse (trr): |
30 ns |
Mfr: |
Technologie des puces |
Technologie: |
La norme |
Température de fonctionnement - jonction: |
-65°C à 175°C |
Emballage / boîtier: |
E, axiale |
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.: |
660 V |
Courant - Moyenne rectifiée (Io): |
1.75A |
Vitesse: |
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Diodes
Les produits de rectification
Diodes simples |
statut du produit: |
Actif |
Courant - Fuite inverse @ Vr: |
2 μA @ 600 V |
Type de montage: |
À travers le trou |
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: |
1.35 V @ 1,2 A |
Le paquet: |
Tape et bobine (TR) |
Série: |
Military, MIL-PRF-19500/590: Les armes à feu sont utilisées dans les forces armées. |
Capacité @ Vr, F: |
- |
Temps de récupération inverse (trr): |
30 ns |
Mfr: |
Technologie des puces |
Technologie: |
La norme |
Température de fonctionnement - jonction: |
-65°C à 175°C |
Emballage / boîtier: |
E, axiale |
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.: |
660 V |
Courant - Moyenne rectifiée (Io): |
1.75A |
Vitesse: |
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io) |