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Le nombre d'heures de travail est le suivant:

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Définition: DIODE GEN PURP 660V 1,75A Pour les appareils électroniques

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
2 μA @ 600 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.35 V @ 1,2 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Military, MIL-PRF-19500/590: Les armes à feu sont utilisées dans les forces armées.
Capacité @ Vr, F:
-
Temps de récupération inverse (trr):
30 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
E, axiale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
660 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1.75A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
2 μA @ 600 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.35 V @ 1,2 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Military, MIL-PRF-19500/590: Les armes à feu sont utilisées dans les forces armées.
Capacité @ Vr, F:
-
Temps de récupération inverse (trr):
30 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
E, axiale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
660 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1.75A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Le nombre d'heures de travail est le suivant:
Diode 660 V 1,75A à travers le trou