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Détails de produit

Conditions de paiement et d'expédition

Définition: DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A Pour les appareils électroniques

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Détails de produit

Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
Pour les appareils à commande numérique
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.4 V @ 1,2 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Military, MIL-PRF-19500/585: Les produits de base sont les suivants:
Capacité @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
D-5A
Temps de récupération inverse (trr):
30 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 150°C
Emballage / boîtier:
SQ-MELF, une
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
660 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
2A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
Pour les appareils à commande numérique
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.4 V @ 1,2 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Military, MIL-PRF-19500/585: Les produits de base sont les suivants:
Capacité @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
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Temps de récupération inverse (trr):
30 ns
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-65°C à 150°C
Emballage / boîtier:
SQ-MELF, une
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
660 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
2A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Le diode 660 V 2A est monté en surface D-5A.

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

32 composants électroniques mordus d'OEM de microcontrôleur,

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