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NVDSH50120C: Les données sont fournies par le fabricant.

Détails de produit

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Définition: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2 Pour les appareils électroniques

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Type de montage:
Trou traversant
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.75 V @ 50 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
Automobile, AEC-Q101
Capacité @ Vr, F:
3691pF @ 1V, 100 kHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247-2
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Uniseme
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-247-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
53A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Type de montage:
Trou traversant
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.75 V @ 50 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
Automobile, AEC-Q101
Capacité @ Vr, F:
3691pF @ 1V, 100 kHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247-2
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Uniseme
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-247-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
53A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
NVDSH50120C: Les données sont fournies par le fabricant.
Diode 1200 V 53A à travers le trou TO-247-2