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Définition: DIODE GEN PURP 660V 1,2 A. Pour les appareils électroniques

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Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples	statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	Pour les appareils à commande numérique	Type de montage:	À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.4 V @ 1,2 A	Le paquet:	Tape et bobine (TR)
Série:	Military, MIL-PRF-19500/585: Les produits de base sont les suivants:	Capacité @ Vr, F:	-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	A, axiale	Temps de récupération inverse (trr):	30 ns
Mfr:	Technologie des puces	Technologie:	La norme
Température de fonctionnement - jonction:	-65°C à 150°C	Emballage / boîtier:	A, axiale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	660 V	Courant - Moyenne rectifiée (Io):	1.2A
Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	Pour les appareils à commande numérique
Type de montage:	À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.4 V @ 1,2 A
Le paquet:	Tape et bobine (TR)
Série:	Military, MIL-PRF-19500/585: Les produits de base sont les suivants:
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Emballage / boîtier:	A, axiale
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Courant - Moyenne rectifiée (Io):	1.2A
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Diode 660 V 1.2A à travers le trou A, axiale

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

32 composants électroniques mordus d'OEM de microcontrôleur,

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