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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6631US

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Définition: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
4 μA @ 1100 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.4 V @ 1.4 A
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
A-MELF
Temps de récupération inverse (trr):
60 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 150°C
Emballage / boîtier:
SQ-MELF, une
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Équipement de traitement des gaz
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1.4A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
1N6631
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
4 μA @ 1100 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.4 V @ 1.4 A
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
A-MELF
Temps de récupération inverse (trr):
60 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 150°C
Emballage / boîtier:
SQ-MELF, une
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Équipement de traitement des gaz
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1.4A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
1N6631
1N6631US
Diode 1100 V 1.4A Monture de surface A-MELF