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Définition: Le diode GP REV 660V 1.75A E-MELF est utilisé pour la commande de l'appareil.

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
2 μA @ 660 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.35 V @ 2 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
E-MELF
Temps de récupération inverse (trr):
30 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
Polarité inverse standard
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 150°C
Emballage / boîtier:
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
660 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1.75A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
2 μA @ 660 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.35 V @ 2 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
E-MELF
Temps de récupération inverse (trr):
30 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
Polarité inverse standard
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 150°C
Emballage / boîtier:
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
660 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1.75A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Le numéro de téléphone de l'établissement:
Diode 660 V 1,75A Monture de surface E-MELF