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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1N6076

Détails de produit

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Définition: DIODE GEN PURP 50V 1,3A axiale

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Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 50 V
Type de montage:
Trou traversant
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.76 V @ 18,8 A
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
A, axiale
Temps de récupération inverse (trr):
30 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 155°C
Emballage / boîtier:
A, axiale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
50 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1.3A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
1N6076
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 50 V
Type de montage:
Trou traversant
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.76 V @ 18,8 A
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
A, axiale
Temps de récupération inverse (trr):
30 ns
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 155°C
Emballage / boîtier:
A, axiale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
50 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1.3A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
1N6076
1N6076
Diode 50 V 1.3A à travers le trou A, axiale