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Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D-5B

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Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
Product Status:
Active
Courant - Fuite inverse @ Vr:
2 μA @ 660 V
Mounting Type:
Surface Mount
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.35 V @ 2 A
Package:
Bulk
Series:
Military, MIL-PRF-19500/590
Capacitance @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
D-5B
Reverse Recovery Time (trr):
30 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 150°C
Package / Case:
SQ-MELF, E
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
660 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1.75A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Numéro du produit de base:
1N6628
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
Product Status:
Active
Courant - Fuite inverse @ Vr:
2 μA @ 660 V
Mounting Type:
Surface Mount
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.35 V @ 2 A
Package:
Bulk
Series:
Military, MIL-PRF-19500/590
Capacitance @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
D-5B
Reverse Recovery Time (trr):
30 ns
Mfr:
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Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 150°C
Package / Case:
SQ-MELF, E
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
660 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1.75A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Numéro du produit de base:
1N6628
Le numéro de téléphone est le numéro de téléphone de l'entreprise.
Diode 660 V 1.75A Monture de surface D-5B

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

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