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Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D-5B

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Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Courant - Fuite inverse @ Vr:
2 μA @ 660 V
Mounting Type:
Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.35 V @ 2 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Series:
Military, MIL-PRF-19500/590
Capacité @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
D-5B
Temps de récupération inverse (trr):
30 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 150°C
Package / Case:
SQ-MELF, E
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
660 V
Current - Average Rectified (Io):
1.75A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Courant - Fuite inverse @ Vr:
2 μA @ 660 V
Mounting Type:
Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.35 V @ 2 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Series:
Military, MIL-PRF-19500/590
Capacité @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
D-5B
Temps de récupération inverse (trr):
30 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 150°C
Package / Case:
SQ-MELF, E
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
660 V
Current - Average Rectified (Io):
1.75A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
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Diode 660 V 1.75A Monture de surface D-5B