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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
statut du produit:
Actif
Current - Reverse Leakage @ Vr:
5 µA @ 100 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
875 mV @ 4 A
Package:
Bulk
Série:
Military, MIL-PRF-19500/477, sous réserve d'un délai de six mois.
Capacitance @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
B, SQ-MELF
Temps de récupération inverse (trr):
30 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technologie:
La norme
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 175°C
Emballage / boîtier:
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
100 V
Current - Average Rectified (Io):
3A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Base Product Number:
1N5809
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
statut du produit:
Actif
Current - Reverse Leakage @ Vr:
5 µA @ 100 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
875 mV @ 4 A
Package:
Bulk
Série:
Military, MIL-PRF-19500/477, sous réserve d'un délai de six mois.
Capacitance @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
B, SQ-MELF
Temps de récupération inverse (trr):
30 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technologie:
La norme
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 175°C
Emballage / boîtier:
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
100 V
Current - Average Rectified (Io):
3A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Base Product Number:
1N5809
Je ne sais pas.
Le diode 100 V 3A est monté sur la surface B, SQ-MELF