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Détails de produit

Conditions de paiement et d'expédition

Définition: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

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Détails de produit

Description de produit
Mettre en évidence:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
50 nA @ 600 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1 V @ 400 mA
Package:
Bulk
Series:
Military, MIL-PRF-19500/240
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
DO-35
Mfr:
Microchip Technology
Technologie:
La norme
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 175°C
Package / Case:
DO-204AH, DO-35, Axial
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
600 V ou plus
Current - Average Rectified (Io):
400mA
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Base Product Number:
1N649
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
50 nA @ 600 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1 V @ 400 mA
Package:
Bulk
Series:
Military, MIL-PRF-19500/240
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
DO-35
Mfr:
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-65°C ~ 175°C
Package / Case:
DO-204AH, DO-35, Axial
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
600 V ou plus
Current - Average Rectified (Io):
400mA
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Base Product Number:
1N649
JANTX1N649-1
Diode 600 V 400 mA à travers le trou DO-35

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

32 composants électroniques mordus d'OEM de microcontrôleur,

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