Détails de produit
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Définition: Le diode GP REV 660V 1.75A SQ-MELF
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Diodes
Les produits de rectification
Diodes simples |
statut du produit: |
Actif |
Current - Reverse Leakage @ Vr: |
2 µA @ 660 V |
Type de montage: |
Monture de surface |
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: |
1.35 V @ 2 A |
Package: |
Tape & Reel (TR) |
Série: |
Military, MIL-PRF-19500/590: Les armes à feu sont utilisées dans les forces armées. |
Capacité @ Vr, F: |
40pF @ 10V, 1MHz |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
B, SQ-MELF |
Temps de récupération inverse (trr): |
45 ns |
Mfr: |
Microchip Technology |
Technologie: |
Polarité inverse standard |
Operating Temperature - Junction: |
-65°C ~ 150°C |
Emballage / boîtier: |
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.: |
660 V |
Courant - Moyenne rectifiée (Io): |
1.75A |
Speed: |
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Diodes
Les produits de rectification
Diodes simples |
statut du produit: |
Actif |
Current - Reverse Leakage @ Vr: |
2 µA @ 660 V |
Type de montage: |
Monture de surface |
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: |
1.35 V @ 2 A |
Package: |
Tape & Reel (TR) |
Série: |
Military, MIL-PRF-19500/590: Les armes à feu sont utilisées dans les forces armées. |
Capacité @ Vr, F: |
40pF @ 10V, 1MHz |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
B, SQ-MELF |
Temps de récupération inverse (trr): |
45 ns |
Mfr: |
Microchip Technology |
Technologie: |
Polarité inverse standard |
Operating Temperature - Junction: |
-65°C ~ 150°C |
Emballage / boîtier: |
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.: |
660 V |
Courant - Moyenne rectifiée (Io): |
1.75A |
Speed: |
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |