Détails de produit
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Description: DIODE GEN PURP 150V 1.3A A-PAK
Category: |
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes |
Product Status: |
Active |
Courant - Fuite inverse @ Vr: |
5 μA @ 150 V |
Mounting Type: |
Through Hole |
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: |
1.76 V @ 18,8 A |
Package: |
Bulk |
Série: |
Military, MIL-PRF-19500/503 Il s'agit d'un appareil qui est utilisé pour la fabrication d'armes à fe |
Capacité @ Vr, F: |
- |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
A-PAK |
Temps de récupération inverse (trr): |
30 ns |
Mfr: |
Microchip Technology |
Technology: |
Standard |
Température de fonctionnement - jonction: |
-65°C à 155°C |
Package / Case: |
A, Axial |
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.: |
150 V |
Current - Average Rectified (Io): |
1.3A |
Vitesse: |
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Base Product Number: |
1N6078 |
Category: |
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes |
Product Status: |
Active |
Courant - Fuite inverse @ Vr: |
5 μA @ 150 V |
Mounting Type: |
Through Hole |
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: |
1.76 V @ 18,8 A |
Package: |
Bulk |
Série: |
Military, MIL-PRF-19500/503 Il s'agit d'un appareil qui est utilisé pour la fabrication d'armes à fe |
Capacité @ Vr, F: |
- |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
A-PAK |
Temps de récupération inverse (trr): |
30 ns |
Mfr: |
Microchip Technology |
Technology: |
Standard |
Température de fonctionnement - jonction: |
-65°C à 155°C |
Package / Case: |
A, Axial |
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.: |
150 V |
Current - Average Rectified (Io): |
1.3A |
Vitesse: |
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Base Product Number: |
1N6078 |