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Description: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D-5B

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Description de produit
Mettre en évidence:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Courant - Fuite inverse @ Vr:
4 μA @ 1100 V
Mounting Type:
Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.6 V @ 1.4 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Series:
Military, MIL-PRF-19500/590
Capacité @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
D-5B
Temps de récupération inverse (trr):
60 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 150°C
Package / Case:
SQ-MELF, E
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Équipement de traitement des gaz
Current - Average Rectified (Io):
1.4A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Courant - Fuite inverse @ Vr:
4 μA @ 1100 V
Mounting Type:
Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.6 V @ 1.4 A
Le paquet:
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Series:
Military, MIL-PRF-19500/590
Capacité @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
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SQ-MELF, E
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Current - Average Rectified (Io):
1.4A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Le nombre d'hectares de l'espèce doit être fixé à:
Diode 1100 V 1.4A Monture de surface D-5B

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

32 composants électroniques mordus d'OEM de microcontrôleur,

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