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Définition: DIODE GEN PURP 100V 4A B axiale

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Mettre en évidence:

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples	Product Status:	Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:	5 µA @ 100 V	Type de montage:	Trou traversant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:	1 V @ 3 A	Package:	Bulk
Série:	-	Capacité @ Vr, F:	-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	B, axiale	Temps de récupération inverse (trr):	100 ns
Mfr:	Microchip Technology	Technologie:	La norme
Température de fonctionnement - jonction:	-195°C à 175°C	Emballage / boîtier:	B, axiale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour les appareils électroniques	Current - Average Rectified (Io):	4A
Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
Product Status:	Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:	5 µA @ 100 V
Type de montage:	Trou traversant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:	1 V @ 3 A
Package:	Bulk
Série:	-
Capacité @ Vr, F:	-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	B, axiale
Temps de récupération inverse (trr):	100 ns
Mfr:	Microchip Technology
Technologie:	La norme
Température de fonctionnement - jonction:	-195°C à 175°C
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Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour les appareils électroniques
Current - Average Rectified (Io):	4A
Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)

UTX4110

Diode 100 V 4A à travers le trou B, axiale

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

32 composants électroniques mordus d'OEM de microcontrôleur,

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