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Description: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A E-PAK

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Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
4 μA @ 1100 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.6 V @ 1.4 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Series:
Military, MIL-PRF-19500/590
Capacité @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Étiquette de la banque
Temps de récupération inverse (trr):
60 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technologie:
La norme
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 150°C
Package / Case:
E, Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
1100 V
Current - Average Rectified (Io):
1.4A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
4 μA @ 1100 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
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Military, MIL-PRF-19500/590
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Package / Case:
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Current - Average Rectified (Io):
1.4A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone
Diode 1100 V 1.4A à travers le trou E-PAK

Tags:

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