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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N5195US

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Description: DIODE GP 180V 200MA DO213AA

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
Product Status:
Active
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 180 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1 V @ 100 mA
Le paquet:
Le volume
Series:
Military, MIL-PRF-19500/118
Capacitance @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les produits de la catégorie 1
Mfr:
Microchip Technology
Technologie:
La norme
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 175°C
Emballage / boîtier:
Pour les produits de la catégorie 1
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
180 V
Current - Average Rectified (Io):
200mA
Vitesse:
Signal faible = < 200 mA (Io), à n'importe quelle vitesse
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
Product Status:
Active
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 180 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1 V @ 100 mA
Le paquet:
Le volume
Series:
Military, MIL-PRF-19500/118
Capacitance @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les produits de la catégorie 1
Mfr:
Microchip Technology
Technologie:
La norme
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 175°C
Emballage / boîtier:
Pour les produits de la catégorie 1
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
180 V
Current - Average Rectified (Io):
200mA
Vitesse:
Signal faible = < 200 mA (Io), à n'importe quelle vitesse
JAN1N5195US
Diode 180 V 200 mA Monture de surface DO-213AA