Transistor de triode de diode

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Le transistor à usage général PNP BC807-40-QR utilise un emballage en plastique compact de dispositif de montage de surface (SMD) SOT23 (TO-236AB).

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Diode de commutation rapide BAV99-QR, utilisant un boîtier plastique CMS (composant monté en surface) SOT23 (TO-236AB) compact

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BAT54S, 215 Diode de barrière planar Schottky avec anneau de protection intégré pour la protection contre les contraintes utilisant un dispositif de montage de surface (SMD) en plastique compact SOT23 (TO 236AB)

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BAT46WH, Diode Schottky à barrière unique 115 avec anneau de protection intégré pour la protection contre les contraintes, utilisant un boîtier plastique de surface compact à fils plats SOD123F (CMS)

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Diode de commutation haute tension BAS521,115 emballée dans un boîtier en plastique SOD523 (SC-79) dispositif de montage de surface (SMD) ultra-compact

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BAS516,115 diodes de commutation à grande vitesse, utilisant un emballage en plastique SOD523 (SC-79) à plomb plat ultra-compact.

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BAS416,115 Diodes à faible courant de fuite

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Diode à usage général BAS321-QX SC-76

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BAS70-04-QR SC-79 Diode de commutation de paquets

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Paquet bipolaire du transistor de puissance de la triode TIP137 NPN 100V 6A TO-220-3

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L'équipement doit être équipé d'un dispositif d'éclairage de qualité supérieure.

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U404 à 71 6L

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2N4392 TO-18 3L, conforme à la norme ROHS

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SST402 SOIC 8L

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